Ученые изобрели самую быструю флешку в мире
Переглядів: 891
30 серпня 2016 13:58
Флеш-память с использованием мультиграфена, превосходящая существующие аналоги по скорости и времени хранения информации, была создана учеными из Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН.
Работает флеш-память благодаря впрыскиванию и хранению электрического заряда в мультиграфене - запоминающей среде. Кроме того, ее необходимыми компонентами являются туннельный и блокирующий слои.
Туннельный слой изготовлен из оксида кремния, блокирующий - из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.
«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», — поясняют ученые-физики.
Флеш-память на основе мультиграфена проходит различные исследования, поэтому говорить о ее масштабном производстве пока рано.
Работает флеш-память благодаря впрыскиванию и хранению электрического заряда в мультиграфене - запоминающей среде. Кроме того, ее необходимыми компонентами являются туннельный и блокирующий слои.
Туннельный слой изготовлен из оксида кремния, блокирующий - из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.
«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», — поясняют ученые-физики.
Флеш-память на основе мультиграфена проходит различные исследования, поэтому говорить о ее масштабном производстве пока рано.
sun_dro
30 серпня 2016 г. (17:21)
Ответить
Статейка из рубрики "расейская наука на марше". А как же это:В своем исследовании вместо нанокристаллов ученые использовали в качестве ловушек дискретного заряда графеновые квантовые точки. Исследователи, Соон Син Джо (Soong Sin Joo) и другие, из Университета Кён Хи и Samsung Electronics, расположенных в Ёнгине (Республика Корея), опубликовали свое исследование об устройства флэш-памяти на основе графеновых квантовых точек в последнем издании журналаNanotechnology.
Статья от 20.06.2014г, а первые упоминания по этой тематике относятся к 2011г и кацапами там и не пахнет, ибо всё что они делают руками либо не работает, либо весит больше, чем нормальный человек может поднять - только дети, только дети...
Схожі новини: